Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

MJE18004

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MJE18004. Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 12:1. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 10:25.

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