Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V - MJE18004

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V - MJE18004
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NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V - MJE18004. NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 12:1. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 23:25.

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NPN-Transistor, 6A, 450V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: SMPS. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: SWITCHMODE. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V
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NPN-Transistor, 6A, 450V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: SMPS. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: SWITCHMODE. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V
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