BUT12AF
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.44€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.21€ |
| 10 - 18 | 3.33€ | 4.00€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.44€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.21€ |
| 10 - 18 | 3.33€ | 4.00€ |
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
BUT12AF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 23W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.
Gleichwertige Produkte :
MJF18204
BE-Widerstand: 50. Kosten): 156pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Fu...
BE-Widerstand: 50. Kosten): 156pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 18. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 1200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.83V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
BE-Widerstand: 50. Kosten): 156pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 18. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 1200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.83V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
Wir empfehlen außerdem :
2SD882
Kosten): 45pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
TL072CP
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 13mV. Stromaufnahme [mA]: 1...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
LED-SMD-R-0050
Durchmesser/Abmessungen: SMD 0603. Farbe: rot. Maximaler Dauerstrom: 20mA. Betrachtungswinkel: 120Â...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
TIP122
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
NDP7060
C(in): 2960pF. Kosten): 1130pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 225A. ID (T=25°C): 75A...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
LM340T5
Eingang: min 7.5V, max 35V. Dropout-Spannung: 2V. Funktion: Z-IC. Ausgangsspannung: 5V. Ausgangspola...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
LED-SMD-R-0220
Durchmesser/Abmessungen: SMD 0805. Farbe: rot. Betrachtungswinkel: 120°. Material: transparent. (cd...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MOC3023M
Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.15V. Diodenschwellenspannung: 3V. I...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
UC3844N
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. G...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.