BUT18AF

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5 - 9	0.93€	1.12€
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Set mit 1

BUT18AF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannung, hohe Geschwindigkeit. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.

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