Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 15A, TO-3PN, 400V - BUW13A

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN, 400V - BUW13A
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NPN-Transistor, 15A, TO-3PN, 400V - BUW13A. NPN-Transistor, 15A, TO-3PN, 400V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 175W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Originalprodukt vom Hersteller Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 18:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 15A, TO-247, 450V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUV48A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V
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