Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BUZ80AF

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BUZ80AF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. IDSS (max): 2.1A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Spannung Vds(max): 800V. Hinweis: <100/220ns. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.

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