Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BYV32E-200

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BYV32E-200. VRRM: 200V. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST. Hinweis: gemeinsame Kathode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV32-200. Äquivalente: BYV32-200G, BYV32-200-E3/45. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100A t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.01V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V. Originalprodukt vom Hersteller Ween Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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MUR1620CT

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Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 2...
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Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V
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Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V
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Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 6...
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Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V
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Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V
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BYV32E-200

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VRRM: 200V. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-22...
BYV32E-200
VRRM: 200V. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST. Hinweis: gemeinsame Kathode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV32-200. Äquivalente: BYV32-200G, BYV32-200-E3/45. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100A t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.01V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V
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