Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BYV32E-200

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BYV32E-200. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 125A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV32E-200. Äquivalente: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT78 (TO-220AB). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

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MUR1620CT

MUR1620CT

Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. F...
MUR1620CT
Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
MUR1620CT
Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
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MUR1660CT

MUR1660CT

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funkti...
MUR1660CT
Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm 100Ap
MUR1660CT
Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm 100Ap
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BYV32E-200

BYV32E-200

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kat...
BYV32E-200
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 125A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV32E-200. Äquivalente: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT78 (TO-220AB). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm 125A t=10ms
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Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 125A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV32E-200. Äquivalente: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT78 (TO-220AB). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm 125A t=10ms
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