Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

BYV79E-200

BYV79E-200
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BYV79E-200. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 12.7A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-2. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.83V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

Technische Dokumentation

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Cj: 25pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 400uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HFA15TB60. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)
HFA15TB60
Cj: 25pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 400uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HFA15TB60. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)
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