Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Diodengleichrichterbrücken

D25XB60

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D25XB60. Vorwärtsstrom (AV): 25A. VRRM: 800V. Funktion: Gleichrichterbrücke. Äquivalente: GBJ2508, KBJ6. Gehäuse: SIL. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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TS25P06G

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VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Sil...
TS25P06G
VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Dreiphasig: 0. IFSM: 300A. Äquivalente: D25XB60, D25SB80, TS25P06G, GBJ2508, GBK25K. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Spec info: 300Ap Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
TS25P06G
VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Dreiphasig: 0. IFSM: 300A. Äquivalente: D25XB60, D25SB80, TS25P06G, GBJ2508, GBK25K. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Spec info: 300Ap Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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