Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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DB102G. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--50Ap. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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