Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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S1WBS60

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S1WBS60. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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