Diode 1N4448GEG, DO35
Menge
Stückpreis
1-9
0.24€
10-49
0.0749€
50-99
0.0469€
100-199
0.0334€
200+
0.0264€
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Diode 1N4448GEG, DO35. Gehäuse: DO35. Diodentyp: Schaltdiode. Eigenschaften des Halbleiters: Super schnelles Schalten. Halbleiterstruktur: Diode. Halbleitertyp: Diode. Leistung: 0.5W. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1V. Max Rückspannung: 100V. Montage/Installation: THT. Pulsstrom max.: 4A. Reaktionszeit: 4ns. RoHS: nein. Schwellenspannung: 1V. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: DC Components. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 16:24
1N4448GEG
15 Parameter
Gehäuse
DO35
Diodentyp
Schaltdiode
Eigenschaften des Halbleiters
Super schnelles Schalten
Halbleiterstruktur
Diode
Halbleitertyp
Diode
Leistung
0.5W
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1V
Max Rückspannung
100V
Montage/Installation
THT
Pulsstrom max.
4A
Reaktionszeit
4ns
RoHS
nein
Schwellenspannung
1V
Verpackung
Ammo Pack
Originalprodukt vom Hersteller
DC Components