Diode BAW56-E3-08, SOT-23, TO-236AB, 0.2A

Diode BAW56-E3-08, SOT-23, TO-236AB, 0.2A

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Diode BAW56-E3-08, SOT-23, TO-236AB, 0.2A. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Ifsm [A]: 4.5A. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 2.5uA..50uA. Maximale Temperatur: +150°C.. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 6 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 70V. [V]: 0.855V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (general Semiconductor). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:12

Technische Dokumentation (PDF)
BAW56-E3-08
14 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236AB
Vorwärtsstrom [A]
0.2A
Anzahl der Terminals
3
Ifsm [A]
4.5A
Komponentenfamilie
Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD)
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
2.5uA..50uA
Maximale Temperatur
+150°C.
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
6 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
70V
[V]
0.855V @ 10mA
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (general Semiconductor)