Diode BAW56LT1G, SOT-23, TO-236AB, 0.25A
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Diode BAW56LT1G, SOT-23, TO-236AB, 0.25A. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Vorwärtsstrom [A]: 0.25A. Anzahl der Terminals: 3. Ifsm [A]: 4A. Komponentenfamilie: Duale Kleinsignaldiode, Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 30nA..150uA. Maximale Temperatur: +150°C.. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 90V. [V]: 0.855V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:12
BAW56LT1G
15 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236AB
Vorwärtsstrom [A]
0.25A
Anzahl der Terminals
3
Ifsm [A]
4A
Komponentenfamilie
Duale Kleinsignaldiode, Oberflächenmontage (SMD)
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
30nA..150uA
Maximale Temperatur
+150°C.
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
4 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
90V
[V]
0.855V @ 10mA
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi
Mindestmenge
10