Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201 ( 7.5x5.4mm )
Betriebstemperatur
-50°C...+175°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.3V
Funktion
Silizium-Schnellgleichrichterdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
5uA
Maximale Temperatur
+175°C.
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
200 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
200V
Schwellenspannung Vf (max)
1.3V
Spec info
Ifsm--200Ap, t=10ms
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc