Diode DSEK60-06A, TO-247, TO-247AD, 2x30A, 30A, 300A, TO-247AD, 600V

Diode DSEK60-06A, TO-247, TO-247AD, 2x30A, 30A, 300A, TO-247AD, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
10.20€
5-9
9.22€
10-24
8.62€
25-49
8.13€
50+
7.53€
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Diode DSEK60-06A, TO-247, TO-247AD, 2x30A, 30A, 300A, TO-247AD, 600V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AD. Vorwärtsstrom [A]: 2x30A. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: ja. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 320A. Komponentenfamilie: Duale schnelle Gleichrichterdiode (tr<500 ns). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 100uA..7mA. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 50uA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 600V. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Technologie: „Epitaxiediode (FRED)“. Temperatur: +150°C. Trr-Diode (Min.): 35 ns. [V]: 1.6V @ 37A. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

Technische Dokumentation (PDF)
DSEK60-06A
36 Parameter
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-247AD
Vorwärtsstrom [A]
2x30A
Vorwärtsstrom (AV)
30A
IFSM
300A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AD
VRRM
600V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
Dielektrische Struktur
gemeinsame Kathode
Doppelt
ja
Durchlassspannung Vf (min)
1.4V
Funktion
„Schnelle Wiederherstellung“
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
320A
Komponentenfamilie
Duale schnelle Gleichrichterdiode (tr<500 ns)
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
25
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
100uA..7mA
MRT (maximal)
100uA
MRT (min)
50uA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
50 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
600V
Schwellenspannung Vf (max)
1.6V
Spec info
Ifsm--375Ap Tp--10uS
Technologie
„Epitaxiediode (FRED)“
Temperatur
+150°C
Trr-Diode (Min.)
35 ns
[V]
1.6V @ 37A
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS

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