Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 300A. Äquivalente: D25XB60, D25SB80, TS25P06G, GBJ2508, GBK25K. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: 300Ap Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single