Diodengleichrichterbrücken

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Äquivalente: MB10F. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.5mm. Abmessungen: 4.8x3.9x2.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): MBF. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: maximale Dicke 2,7 mm

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 0.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 32A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 230V Netzgleichrichter. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B6. Teilung: 2.54mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA (MBS). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: Gehäuseabmessungen 4,1 x 4,95 mm

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 0.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 32A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 600V. Äquivalente: MB6SA. Abmessungen: 4.70x3.80x2.50mm, TO-269AA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MicroDIL. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 0.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 3x3x1.8mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 0.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 3x3x1.8mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 0.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 15.1x15.1x6.3 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 10A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 135A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 68A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 3mA. MRT (min): 0.5mA. Abmessungen der Anschlüsse: 0.75x12.3mm. Abmessungen: 47x30x8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.46V. Durchlassspannung Vf (min): 1.46V. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 5. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 300A, t=8.3ms (60Hz) 320A

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 86A. IFSM: 530A. MRT (maximal): 3mA. MRT (min): 0.5mA. Abmessungen der Anschlüsse: 0.75x12.3mm. Abmessungen: 47x30x8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): ECO-PAC 1. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 5. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 530A, t=8.3ms (60Hz) 570A

Abmessungen: 25x15x4.5mm

Cj: 15pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Einphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B250C5000A. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 40x21x6.5mm. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 250V

Cj: 186pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 250A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 23x17x6.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 1000V. Spezifität: schnell. Trr: 500nsec. Durchlassspannung Vf: 1.3V. Serie: YBS. Abmessungen: 6.6x7.3x1.4mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 0.8A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 0.8A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. IFSM: 40A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 10uA. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA (MBS). Gehäuse (laut Datenblatt): MiniDIL / SLIM. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 0.8A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.8x28.8x10mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 17A. Schwellenspannung Uf [V]: 2.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.6 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 320A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35Ax3. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Serie: SKBPC3

Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 3x50A. VRRM: 1600V. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Serie: SKBPC3