Diodengleichrichterbrücken

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4

Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 40A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 10uA. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA (MBS). Gehäuse (laut Datenblatt): MiniDIL / SLIM. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Anzahl der Terminals: 4

Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 17A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.6 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 320A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.8x28.8x10mm. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 2.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Nennstrom [A]: 28A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.2 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 280A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Gesteuerte Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 63x32x22mm. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 2.25V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Nennstrom [A]: 20A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.6 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 320A. RoHS: ja. Gehäuse: 28.8x28.8x10mm. Anzahl der Terminals: 5. Schwellenspannung Uf [V]: 2.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Dreiphasig: 0. IFSM: 300A. Äquivalente: D25XB60, D25SB80, TS25P06G, GBJ2508, GBK25K. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: 300Ap Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single

Nennstrom [A]: 35A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1700V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 475A. RoHS: ja. Gehäuse: 28.5x28.5x10mm. Konfiguration: verschraubt. Anzahl der Terminals: 5. Schwellenspannung Uf [V]: 1.19V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 35A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 475A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 28.6x28.6x7.7mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 86A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.6 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 530A. RoHS: ja. Gehäuse: ECO-PAC1. Konfiguration: Lötfahnen. Anzahl der Terminals: 5. Schwellenspannung Uf [V]: 1.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Hinweis: Durchmesser 10 mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.6x5.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Hinweis: Durchmesser 10 mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.6x5.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)