Diodengleichrichterbrücken

Vorwärtsstrom (AV): 8A. VRRM: 1000V. Funktion: Gleichrichterbrücke. Serie: KBU. Gehäuse: SIL. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Nennstrom [A]: 8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 100V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 23.5x5.7x19.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 23.5x5.7x19.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 23.5x5.7x19.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 25A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Äquivalente: MB10S. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.5mm. Abmessungen: 4.8x3.8x1.4mm. RoHS: ja. Spec info: maximale Dicke 1,6 mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): MBF. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 30A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Äquivalente: MB10F. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.5mm. Abmessungen: 4.8x3.9x2.5mm. RoHS: ja. Spec info: maximale Dicke 2,7 mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): MBF. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 32A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 230V Netzgleichrichter. IFSM: 30A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B6. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Abmessungen: Gehäuseabmessungen 4,1 x 4,95 mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA (MBS). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 32A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MicroDIL. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 3x3x1.8mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 3x3x1.8mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 10A. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 135A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 15.1x15.1x6.3 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 68A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 300A. MRT (maximal): 3mA. MRT (min): 0.5mA. Abmessungen der Anschlüsse: 0.75x12.3mm. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 47x30x8mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 300A, t=8.3ms (60Hz) 320A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.46V. Durchlassspannung Vf (min): 1.46V

VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 86A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 530A. MRT (maximal): 3mA. MRT (min): 0.5mA. Abmessungen der Anschlüsse: 0.75x12.3mm. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 47x30x8mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 530A, t=8.3ms (60Hz) 570A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): ECO-PAC 1. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Teilung: 7,5 mm. Abmessungen: 25x15x4.5mm

VRRM: 250V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Einphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B250C5000A. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 40x21x6.5mm. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 6A. Cj: 186pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 250A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 23x17x6.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Spezifität: schnell. Trr: 500nsec. Durchlassspannung Vf: 1.3V. Serie: YBS. Abmessungen: 6.6x7.3x1.4mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4

VRRM: 600V. Gehäuse: SMD. Durchschnittlicher korrigierter Strom (max): 0.8A. Diodentyp: Einphase. Serie: S250

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 40A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA (MBS). Gehäuse (laut Datenblatt): MiniDIL / SLIM. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V