Diodengleichrichterbrücken

Nennstrom [A]: 10/15/25A. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Nennstrom [A]: 10/15/25A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse: Quadrat. Durchschnittlicher korrigierter Strom (max): 25A. Abmessungen: 28.6x28.6x7.3mm. Diodentyp: Einphase. Information: Anschluss über Faston-Klemmen. Serie: KBPC

VRRM: 600V. Gehäuse: Quadrat. Durchschnittlicher korrigierter Strom (max): 25A. Abmessungen: 28.6x28.6x7.3mm. Diodentyp: Einphase. Serie: KBPC

Nennstrom [A]: 10/15/25A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 10/15/25A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse: 25A. Gehäuse (JEDEC-Standard): Einphase

Nennstrom [A]: 10A. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 10A. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Cj: 21pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 13x13mm. RoHS: ja. Teilung: 19x19mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. IFSM: 240A. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 0.5mA. Spec info: IFSM--240Ap. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Cj: 21pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 13x13mm. RoHS: ja. Teilung: 19x19mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Teilung: 19x19mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 13x13mm. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Nennstrom [A]: 10A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 10A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 400V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. Abmessungen der Anschlüsse: Durchmesser 0,9 mm, 10,8 x 10,8 mm. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 15.2x15.2mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

VRRM: 400V. Vorwärtsstrom (AV): 15A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 300mA. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Teilung: 29x29mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 15A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 300mA. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Teilung: 29x29mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 15A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 300A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Teilung: 29x29mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Cj: 300pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 6.4x0,8 mm Faston Terminal. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 400V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 300A. Abmessungen der Anschlüsse: 6.4x0,8 mm Faston Terminal. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Cj: 300pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 400A. Hinweis: 28x28x11.5mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB256. Abmessungen der Anschlüsse: 6.4x0,8 mm Faston Terminal. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: MB-25. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Cj: 300pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB-256W. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Spec info: t=8.2ms. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 360A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 6.4x0,8 mm Faston Terminal. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.26V. Durchlassspannung Vf (min): 1.26V

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 360A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB25100. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.26V. Durchlassspannung Vf (min): 1.26V

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Cj: 300pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Spec info: t=8.2ms. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Nennstrom [A]: 35A. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 35A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 400A. MRT (maximal): 664uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 6.4x0,8 mm Faston Terminal. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V