Diodengleichrichterbrücken

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 24x15mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 6A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 170A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D5SB 60. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--170Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 400V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 7.4x6.2x3.2mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Nennstrom [A]: 1.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1000V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 60A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: DB-S. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.0V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 25A. VRRM: 1200V. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 350A. MRT (maximal): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 6.4x0,8 mm Faston Terminal. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 28.5x28.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 35A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 450A. Abmessungen der Anschlüsse: 6.4x0,8 mm Faston Terminal. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 28.5x28.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

Nennstrom [A]: 35A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 450A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Dreiphasen-Diodenrichterbrücke. Gehäuse: 28.5x28.5x10mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.05V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 35A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.2 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 450A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Dreiphasen-Diodenrichterbrücke. Gehäuse: 28.5x28.5x10mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.05V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 1600V. Vorwärtsstrom (AV): 35A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 450A. Äquivalente: VISHAY--VS-36MT160. Abmessungen der Anschlüsse: 6.4x0,8 mm Faston Terminal. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 28.5x28.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

Nennstrom [A]: 1A. Spitzenspannung Urrm [V]: 700V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6/4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 400V. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. IFSM: 160A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 160A. MRT (maximal): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Äquivalente: KBJ10J. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Nennstrom [A]: 15A. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 15A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 400V. Vorwärtsstrom (AV): 20A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. IFSM: 230A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 30x20x3.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Nennstrom [A]: 25A. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 25A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 15. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Dreiphasig: 0. IFSM: 350A. Abmessungen der Anschlüsse: 10x7.5x7.5mm. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 30x20x4.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 35A. Cj: 150pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 15. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. IFSM: 350A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 10x7.5x7.5mm. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 30x20x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 35. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 90A. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 3.8mm. Abmessungen: 14.5x10.3x3.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--90Ap (t=20ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 50A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Serie: GBPC. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss

Nennstrom [A]: 12A. Spitzenspannung Urrm [V]: 100V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C