Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
Halbleiter Dioden
Diodengleichrichterbrücken

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DB107

DB107

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 1000V. Serie: DB. Gehäuse: DIP. Mont...
DB107
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 1000V. Serie: DB. Gehäuse: DIP. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
DB107
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 1000V. Serie: DB. Gehäuse: DIP. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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DB107S

DB107S

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtss...
DB107S
Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 7.4x6.2x3.2mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
DB107S
Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 7.4x6.2x3.2mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
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DB157S

DB157S

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: DB-S. K...
DB157S
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: DB-S. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.0V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1000V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 60A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
DB157S
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: DB-S. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.0V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1000V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 60A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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DB25-12

DB25-12

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV...
DB25-12
Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 350A. MRT (maximal): 10uA. Abmessungen: 28.5x28.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 5
DB25-12
Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 350A. MRT (maximal): 10uA. Abmessungen: 28.5x28.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 5
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DB35-06

DB35-06

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dreiphasen-Gleichrich...
DB35-06
Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 450A. Abmessungen: 28.5x28.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 5
DB35-06
Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 450A. Abmessungen: 28.5x28.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 5
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DB35-08

DB35-08

RoHS: ja. Gehäuse: 28.5x28.5x10mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung U...
DB35-08
RoHS: ja. Gehäuse: 28.5x28.5x10mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.05V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 450A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen
DB35-08
RoHS: ja. Gehäuse: 28.5x28.5x10mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.05V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 450A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen
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DB35-12

RoHS: ja. Gehäuse: 35A. Gehäuse: 28.5x28.5x10mm. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5mA. Anzahl der Termin...
DB35-12
RoHS: ja. Gehäuse: 35A. Gehäuse: 28.5x28.5x10mm. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5mA. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.05V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.2 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 450A. Schwellenspannung Vf (max): 1.19V. Durchlassspannung Vf (min): 1.19V. VRRM: 1200V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen
DB35-12
RoHS: ja. Gehäuse: 35A. Gehäuse: 28.5x28.5x10mm. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5mA. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.05V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.2 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 450A. Schwellenspannung Vf (max): 1.19V. Durchlassspannung Vf (min): 1.19V. VRRM: 1200V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen
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DB35-16

DB35-16

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV...
DB35-16
Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 450A. Äquivalente: VISHAY--VS-36MT160. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 28.5x28.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 1600V
DB35-16
Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 450A. Äquivalente: VISHAY--VS-36MT160. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 28.5x28.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 1600V
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DBLS155G

DBLS155G

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 1000V. Äquivalente: DB157S. Serie:...
DBLS155G
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 1000V. Äquivalente: DB157S. Serie: DBS. Abmessungen: 8.32x6.35x3.05mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
DBLS155G
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 1000V. Äquivalente: DB157S. Serie: DBS. Abmessungen: 8.32x6.35x3.05mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
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DF10M-E3-45

DF10M-E3-45

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6/4. Konfig...
DF10M-E3-45
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6/4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 700V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
DF10M-E3-45
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6/4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 700V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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GBI10G

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig...
GBI10G
Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 160A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V
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Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 160A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V
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GBI10J

GBI10J

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtss...
GBI10J
Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 160A. MRT (maximal): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Äquivalente: KBJ10J. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V
GBI10J
Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 160A. MRT (maximal): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Äquivalente: KBJ10J. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20...
GBI15G
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 15A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
GBI15G
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 15A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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GBI15M

GBI15M

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6...
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 15A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
GBI15M
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 15A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig...
GBI20G
Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 230A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 30x20x3.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V
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Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 230A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 30x20x3.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 25A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
GBI25G
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 25A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 25A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (30x4.6x20mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 25A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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GBJ2510

GBJ2510

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 15. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Str...
GBJ2510
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 15. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 350A. Abmessungen der Anschlüsse: 10x7.5x7.5mm. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 30x20x4.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 1000V
GBJ2510
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 15. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 350A. Abmessungen der Anschlüsse: 10x7.5x7.5mm. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 30x20x4.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 1000V
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GBJ3510

GBJ3510

Cj: 150pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 15. Menge pro Karton: 4. Dielek...
GBJ3510
Cj: 150pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 15. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 350A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 10x7.5x7.5mm. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 30x20x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 1000V
GBJ3510
Cj: 150pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 15. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 350A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 10x7.5x7.5mm. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 30x20x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 1000V
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GBP308

GBP308

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 35. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke....
GBP308
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 35. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 90A. MRT (maximal): 10uA. Teilung: 3.8mm. Abmessungen: 14.5x10.3x3.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--90Ap (t=20ms)
GBP308
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 35. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 90A. MRT (maximal): 10uA. Teilung: 3.8mm. Abmessungen: 14.5x10.3x3.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--90Ap (t=20ms)
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GBPC2506

GBPC2506

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. VRRM: 600V. Serie: GBPC. Anzahl der Termin...
GBPC2506
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. VRRM: 600V. Serie: GBPC. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss
GBPC2506
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. VRRM: 600V. Serie: GBPC. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss
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GBPC2510W

GBPC2510W

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. VRRM: 1000V. Äquivalente: SB35-W. Montage...
GBPC2510W
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. VRRM: 1000V. Äquivalente: SB35-W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
GBPC2510W
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. VRRM: 1000V. Äquivalente: SB35-W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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GBPC3510

GBPC3510

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. VRRM: 1000V. Serie: GBPC. Anzahl der Termi...
GBPC3510
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. VRRM: 1000V. Serie: GBPC. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss
GBPC3510
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. VRRM: 1000V. Serie: GBPC. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss
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GBPC5010

GBPC5010

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 50A. VRRM: 1000V. Serie: GBPC. Anzahl der Termi...
GBPC5010
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 50A. VRRM: 1000V. Serie: GBPC. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss
GBPC5010
Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 50A. VRRM: 1000V. Serie: GBPC. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss
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GBU12B

GBU12B

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x...
GBU12B
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 12A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 100V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
GBU12B
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 12A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 100V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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