Diodengleichrichterbrücken

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 35. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 90A. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 3.8mm. Abmessungen: 14.5x10.3x3.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--90Ap (t=20ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Serie: GBPC. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Äquivalente: SB35-W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 35A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Serie: GBPC. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 50A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Serie: GBPC. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss

Nennstrom [A]: 12A. Spitzenspannung Urrm [V]: 100V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 12A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 12A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 100V. Gehäuse: SIL. Durchschnittlicher korrigierter Strom (max): 4A. Abmessungen: 21.5x18.3x3.4mm. Diodentyp: Einphase. Serie: GBU

Nennstrom [A]: 4A. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 135A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 22x19x3.3mm. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: NINCS. IFSM: 150A. Äquivalente: KBL406, RS406, RS406G

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 6A (2,8A ohne Kühlkörper). Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 135A. MRT (maximal): 10uA. Äquivalente: KBU6J, KBU606, RS605. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08x5.08x5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): SIP-4 (21.8x18.3x3.5mm). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

VRRM: 600V. Gehäuse: SIL. Durchschnittlicher korrigierter Strom (max): 6A. Abmessungen: 21.5x18.3x3.4mm. Diodentyp: Einphase. Serie: GBU

VRRM: 1000V. Gehäuse: SIL. Durchschnittlicher korrigierter Strom (max): 6A. Abmessungen: 21.5x18.3x3.4mm. Diodentyp: Einphase. Serie: GBU

VRRM: 100V. Gehäuse: SIL. Durchschnittlicher korrigierter Strom (max): 8A. Abmessungen: 21.5x18.3x3.4mm. Diodentyp: Einphase. Serie: GBU

VRRM: 400V. Gehäuse: SIL. Durchschnittlicher korrigierter Strom (max): 8A. Abmessungen: 21.5x18.3x3.4mm. Diodentyp: Einphase. Serie: GBU

VRRM: 600V. Gehäuse: SIL. Durchschnittlicher korrigierter Strom (max): 8A. Abmessungen: 21.5x18.3x3.4mm. Diodentyp: Einphase. Serie: GBU

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Spezifität: schnell. Trr: <75nsec. Abmessungen: 4.4x5x1.4mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

VRRM: 400V. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 19x16x6mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Dreiphasig: 0. IFSM: 200A. Äquivalente: KBL06, RS406, RS406G. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 19x16x6mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 200A. Äquivalente: KBL408, RS408, RS408G, GBU406. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 19x16x6mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RS407. Abmessungen der Anschlüsse: 5.08x5.08mm. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 19x16x6mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Serie: KBL. Gehäuse: SIL. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 60A. Äquivalente: KPB206G, KBP06, RS205, RC205. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 4x4x4mm. Abmessungen: 17.5x14x6.3mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--60Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Gehäuse: SIL. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage