Diodengleichrichterbrücken

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 80A. Teilung: 4.5mm. Abmessungen: 22x18.5x3.5mm. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--80Ap (t=8.3ms)

Nennstrom [A]: 4A. Spitzenspannung Urrm [V]: 100V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 135A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Abmessungen der Anschlüsse: Abstand zwischen den Beinen 5,6 x 5,6 mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55°C...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: Durchmesser 10 mm. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)

Nennstrom [A]: 2.3A/1.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (19x3.5x10mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 0.9V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 160V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Cj: 1300pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Trr-Diode (Min.): SIL (19x3.5x10mm). Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 10A. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 0.9V. Teilung: 5mm. Abmessungen: 20x10x3.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IF(AV) 1,5A, 2,3A (mit Kühlkörper)

VRRM: 80V. Vorwärtsstrom (AV): 2,2 A (oder 3,7 A bei Montage auf Kühlkörper). Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 150A (50Hz 10ms). Abmessungen der Anschlüsse: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 32x17x5.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Anzahl der Terminals: 4

Nennstrom [A]: 5A/3.3A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 150A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (32x56x16mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 7A/4A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 250A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (32x56x16mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.05V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Durchmesser: 10mm. RoHS: ja

Nennstrom [A]: 1A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 8.3x6.4x3.1mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 2A/1.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: runden, Durchmesser 9mm, Höhe 5,1 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 1A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 45A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 2.3A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 65A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 200V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. Hinweis: Durchmesser 10 mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--50App t=8.3ms

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: KIBPC110. Abmessungen der Anschlüsse: Durchmesser 0,9 mm, 10,8 x 10,8 mm. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 15.2x15.2mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 200V. Vorwärtsstrom (AV): 3.2A. Halbleitermaterial: Silizium. Spec info: GI-Br

Nennstrom [A]: 1A. Spitzenspannung Urrm [V]: 100V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 0.79V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 25A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D25XB60. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 30x20x4.6mm. RoHS: ja. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: pont de redressement en ligne (SIL). Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 350A

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 24x15mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 6A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 170A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D5SB 60. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--170Ap

VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap

VRRM: 400V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 7.4x6.2x3.2mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Nennstrom [A]: 1.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1000V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 60A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: DB-S. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.0V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C