Diodengleichrichterbrücken

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 45A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x3.1mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2.3A. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 65A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2.3A. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 65A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 8A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 180A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2.3A. IFSM: 50A. Hinweis: IF(AV) 1,5A, 2,3A (mit Kühlkörper). Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 19x10x3.5mm. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 380V. Spec info: IFSM--50Ap

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (19x3.5x10mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2.3A/1.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (19x3.5x10mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2.3A/1.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 4.8A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 600uA. MRT (min): 10uA. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 32x17x5.6mm. VRRM: 800V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (32x56x16mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 5A/3.3A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 150A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 8.3x6.4x3.1mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: runden, Durchmesser 9mm, Höhe 5,1 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2A/1.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 45A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x3.1mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2.3A. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 65A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2.3A. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 65A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Abmessungen der Anschlüsse: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 40x21x6.5mm

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 63x32x22mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.25V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 600A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 8.3x6.4x3.1mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (32x56x16mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 5A/3.3A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 150A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Cj: 15pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: C5000/3300A, RS505. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 40x21.7x6.5mm. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 500V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (32x56x16mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 7A/4A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.05V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 250A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 7A. IFSM: 150A. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 32x17x5.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Vrms: 500V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: runden, Durchmesser 9mm, Höhe 5,1 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2A/1.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Durchmesser: 10mm. Äquivalente: W005M. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 50V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 8A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 180A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 230A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 30x20x3.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V