Diodengleichrichterbrücken

Nennstrom [A]: 2.3A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 65A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x3.1mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 2.3A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 65A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 180A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 380V. Vorwärtsstrom (AV): 2.3A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. Hinweis: IF(AV) 1,5A, 2,3A (mit Kühlkörper). Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 19x10x3.5mm. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap

Nennstrom [A]: 2.3A/1.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (19x3.5x10mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 2.3A/1.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (19x3.5x10mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 4.8A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 600uA. MRT (min): 10uA. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 32x17x5.6mm

Nennstrom [A]: 5A/3.3A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 150A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (32x56x16mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 1A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 8.3x6.4x3.1mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 2A/1.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: runden, Durchmesser 9mm, Höhe 5,1 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 1A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 45A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 2.3A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 65A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x3.1mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 2.3A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 65A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 0.95V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Abmessungen der Anschlüsse: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 40x21x6.5mm

Nennstrom [A]: 35A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 600A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 63x32x22mm. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.25V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Nennstrom [A]: 1A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 8.3x6.4x3.1mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Nennstrom [A]: 5A/3.3A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 150A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (32x56x16mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 500V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: C5000/3300A, RS505. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 40x21.7x6.5mm. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Nennstrom [A]: 7A/4A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 250A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (32x56x16mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.05V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vrms: 500V. Vorwärtsstrom (AV): 7A. IFSM: 150A. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 32x17x5.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Nennstrom [A]: 2A/1.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: runden, Durchmesser 9mm, Höhe 5,1 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 50V. Durchmesser: 10mm. Äquivalente: W005M. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Nennstrom [A]: 8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 180A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 20A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. IFSM: 230A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Abmessungen: 30x20x3.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: BR306, KBPC106. Abmessungen der Anschlüsse: Durchmesser 0,9 mm. Teilung: 10.8x10.8mm. RoHS: ja. Teilung: 15.2x15.2mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4