Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.39€ | 1.67€ |
5 - 9 | 1.32€ | 1.58€ |
10 - 24 | 1.25€ | 1.50€ |
25 - 27 | 1.18€ | 1.42€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.39€ | 1.67€ |
5 - 9 | 1.32€ | 1.58€ |
10 - 24 | 1.25€ | 1.50€ |
25 - 27 | 1.18€ | 1.42€ |
GBI10G. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 160A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.
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