Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

GBI10G

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GBI10G. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 160A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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