Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
0
Produktkategorien :
Audio
>
306
Automatisierung
>
19
Computer
>
56
Elektrischer Schutz
>
1127
Energie
>
1333
Freizeitelektronik
>
540
Gehäuse für Elektronik
>
1201
Halbleiter
>
14457
Kabel
>
1768
Kühlung
>
751
Mechanische Teile
>
439
Optoelektronik
>
1956
Passive Komponenten
>
14444
Relais
>
850
Reparieren
>
956
Schalter
>
929
Steckverbinder
>
5629
Transformatoren
>
554
Werkzeuge
>
1371
Halbleiter Transistoren

2SK3561

2SK3561
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 4 2.53€ 3.04€
5 - 9 2.40€ 2.88€
10 - 24 2.28€ 2.74€
25 - 39 2.15€ 2.58€
Menge U.P
1 - 4 2.53€ 3.04€
5 - 9 2.40€ 2.88€
10 - 24 2.28€ 2.74€
25 - 39 2.15€ 2.58€
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Menge auf Lager : 39
Set mit 1

2SK3561. C(in): 1050pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3561. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

Technische Dokumentation

Gleichwertige Produkte :

Menge auf Lager : 68
IRFI840G

IRFI840G

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 4.6A. Einschaltwiderst...
IRFI840G
Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 4.6A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohm 40W. Gehäuse: TO-220-F. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V
IRFI840G
Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 4.6A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohm 40W. Gehäuse: TO-220-F. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V
Set mit 1
2.46€ inkl. MwSt
(2.05€ exkl. MwSt)
2.46€
Menge auf Lager : 99
IRF840A

IRF840A

C(in): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 422 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp)...
IRF840A
C(in): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 422 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
IRF840A
C(in): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 422 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
Set mit 1
2.24€ inkl. MwSt
(1.87€ exkl. MwSt)
2.24€

Wir empfehlen außerdem :

Menge auf Lager : 169
IRF840

IRF840

C(in): 1300pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp)...
IRF840
[LONGDESCRIPTION]
IRF840
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.29€ inkl. MwSt
(1.91€ exkl. MwSt)
2.29€
Menge auf Lager : 10273
1N4004

1N4004

RoHS: ja. Gehäuse: DO-41. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr...
1N4004
[LONGDESCRIPTION]
1N4004
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0431€ inkl. MwSt
(0.0359€ exkl. MwSt)
0.0431€
Menge auf Lager : 3589
CFR1-4W-18K

CFR1-4W-18K

Widerstand: 18k Ohms. Leistung: 0.25W. Widerstandstyp: Kohlenstoffschicht. Hinweis: CFR1/4W E12. Hin...
CFR1-4W-18K
[LONGDESCRIPTION]
CFR1-4W-18K
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0324€ inkl. MwSt
(0.0270€ exkl. MwSt)
0.0324€
Menge auf Lager : 54
IRF710

IRF710

C(in): 170pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion:...
IRF710
[LONGDESCRIPTION]
IRF710
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.25€ inkl. MwSt
(1.04€ exkl. MwSt)
1.25€
Menge auf Lager : 204
CEL470UF25V-B

CEL470UF25V-B

Gleichspannung: 25V. Kapazität: 470uF. Durchmesser: 8mm. Lebensdauer: 2000 Stunden. Länge: 14mm. K...
CEL470UF25V-B
[LONGDESCRIPTION]
CEL470UF25V-B
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.17€ inkl. MwSt
(0.14€ exkl. MwSt)
0.17€
Ausverkauft
2N2222A

2N2222A

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Konfiguration: Le...
2N2222A
[LONGDESCRIPTION]
2N2222A
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.60€ inkl. MwSt
(1.33€ exkl. MwSt)
1.60€
Menge auf Lager : 3290
LM358P

LM358P

Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-O...
LM358P
[LONGDESCRIPTION]
LM358P
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.37€ inkl. MwSt
(0.31€ exkl. MwSt)
0.37€
Menge auf Lager : 156
BR310

BR310

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtss...
BR310
[LONGDESCRIPTION]
BR310
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.77€ inkl. MwSt
(0.64€ exkl. MwSt)
0.77€
Menge auf Lager : 18
TK20J50D

TK20J50D

C(in): 2600pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1700 ns. T...
TK20J50D
[LONGDESCRIPTION]
TK20J50D
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
10.72€ inkl. MwSt
(8.93€ exkl. MwSt)
10.72€
Menge auf Lager : 112
IRF820

IRF820

Kosten): 92pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 260 ns. Transistortyp: MOS...
IRF820
[LONGDESCRIPTION]
IRF820
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.44€ inkl. MwSt
(1.20€ exkl. MwSt)
1.44€

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :
Per E-Mail
Verkaufsbedingungen

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Abonnieren Sie den Newsletter

Ich stimme dem Empfang von E-Mails zu und verstehe, dass ich mich nach der Registrierung jederzeit abmelden kann.

Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.