Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFI840G

IRFI840G
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IRFI840G. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 4.6A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohm 40W. Gehäuse: TO-220-F. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.

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