Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - IRFI840G

N-Kanal-Transistor, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - IRFI840G
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N-Kanal-Transistor, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - IRFI840G. N-Kanal-Transistor, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1300pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 340 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 18A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.

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N-Kanal-Transistor, 4A, 8A, 8A, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MOS-Typ (TT.MOSV)
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