Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF710. C(in): 170pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. RoHS: ja. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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