Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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DSEI2X101-06A

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DSEI2X101-06A. Vorwärtsstrom (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: schrauben. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.17V. Originalprodukt vom Hersteller IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. Hinweis: Epitaxiediode, hoher Strom. Hinweis: 900App/10ms, 45°C. MRT (maximal): 15mA. MRT (min): 1.5mA. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Lieferzeit: KB. Montage/Installation: schrauben. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.87V. Durchlassspannung Vf (min): 1.61V
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