Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

EGP20B

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EGP20B. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Originalprodukt vom Hersteller Ge (tungsram). Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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BYV27-200-TAP
VRRM: 200V. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.07V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
BYV27-200-TAP
VRRM: 200V. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.07V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GL. Hinweis: 125A/8.3ms
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400...
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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