Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

EGP20D

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EGP20D. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Originalprodukt vom Hersteller Ge (tungsram). Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 01:25.

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BYV27-200-TAP

BYV27-200-TAP

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehä...
BYV27-200-TAP
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOD-57. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.07V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 200V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1uA..150uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 25 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.07V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. VRRM: 200V
BYV27-200-TAP
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOD-57. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.07V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 200V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1uA..150uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 25 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.07V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. VRRM: 200V
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EGP20G

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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400...
EGP20G
Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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