Eupec/Infineon FS75R12KE3GBOSA1 N-Kanal IGBT Modul 1200V 75A 355W

Technische Produktbeschreibung (FS75R12KE3GBOSA1):

Kollektor/Emitter Spannung Vceo: 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Gehäuse (gemäß Datenblatt): andere. Gehäuse: andere. Germaniumdiode: nein. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Abmessungen: 122x62x17.5mm. CE Diode: ja. Anzahl der Anschlüsse: 35. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Anmerkung: 6x IGBT+ CE Diode. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Ic(puls): 150A. Markierung auf dem Gehäuse: FS75R12KE3G. C (in): 5300pF. Gate-Emitter Spannung VGE: 20V. Maximale Verlustleistung: 355W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Gate-Emitter Spannung VGE(th) min.: 5.5V. Gate-Emitter Spannung VGE(th) max.: 6.5V. Kollektorstrom: 100A.