Fairchild FQA19N60 N-Kanal MOSFET 600V 18.5A 0.3 Ohm TO-3PN QFET DMOS

Technische Produktbeschreibung (FQA19N60):

Spannung Vds(max): 600V. Idss (max): 100uA. Id (T=25°C): 18.5A. Id (T=100°C): 11.7A. Durchgangswiderstand Rds On: 0.3 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-3PN. Gehäuse: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, geringe Gate-Ladung (typisch 44nC). Technologie: DMOS, QFET. G-S Schutz: nein. Td(off): 150 ns. Idss (min): 10uA. Td(on): 65 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 74A. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Trr Diode (Min.): 420 ns. Maximale Verlustleistung: 300W. Drain-Source Schutz: Diode. Gate/Source Spannung Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.