FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. IDSS (max): 10nA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 600pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1nA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 5.3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: V-MOS. Menge pro Karton: 1

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI9953DY. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 60us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO220-3. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Funktion: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 230pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dv/dt-bewerteter Erweiterungsmodus. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 74.8A. ID (T=100°C): 13.2A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18P06P. Pd (Verlustleistung, max): 81W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.102 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

P-Kanal-Transistor, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 340pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 7.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10P6F6. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 64 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: STRipFET™ II Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 80A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 5500pF. Kosten): 1130pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 165 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFETTM II Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -60V, -53A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SUP53P06-20. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 104W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -4.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 745pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 30A, TO-220AB, -100V. Maximaler Drainstrom: 30A. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Leistung: 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.056 Ohms

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-92, -100V, -0.23A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZVP2110A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 100pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -60V, -0.09A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZVP3306F. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 8 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-92, -240V, -0.2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.0V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C