FJN3302R

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10 - 24	0.49€	0.59€

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Set mit 1

FJN3302R. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schaltkreise. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 300mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 20:25.

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