Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FQA9N90C-F109

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FQA9N90C-F109. C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQA9N90C. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 4.7g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 10:25.

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA13N80. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 320 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA13N80. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 320 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1
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