Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FQP13N50. C(in): 1800pF. Kosten): 245pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 04:25.

Technische Dokumentation

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FQP13N50C
C(in): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 195W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC). G-S-Schutz: NINCS
FQP13N50C
C(in): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 195W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC). G-S-Schutz: NINCS
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