Fuji Electric 2SK2251-01 N-Kanal MOSFET, 250V, 2A, 1.2 Ohm, TO-220AB Gehäuse

Technische Produktbeschreibung (2SK2251-01):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 250V. Drain-Source-Leckstrom Idss(max): 2A. Dauer-Drainstrom Id (T=25°C): 2A. Durchlasswiderstand Rds(On): 1.2 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220AB. Gehäuse: TO-220. Montageart: Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Technologie: FAP-IIA Serie. Menge pro Gehäuse: 1. Puls-Drainstrom Id(imp): 8A. Maximale Verlustleistung: 20W.