Fuji Electric 2SK2850 N-MOSFET Transistor, 900V 6A, 1.87 Ohm Rds(on), TO-3P Gehäuse, Hochgeschwindig

Technische Produktbeschreibung (2SK2850):

Spannung Vds(max): 900V. Idss (max): 200uA. ID (T=25°C): 6A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.87 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-3P. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Betriebstemperatur: -...+150°C. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Schaltung. Technologie: TT-MOSV. G-S Schutz: nein. Td(off): 110 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 20 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 24A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 950pF. C(out): 140pF. Trr Diode (Min.): 900ns. Pd (Verlustleistung, Max): 125W. Drain-Source-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3.5V