Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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HER303

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HER303. Cj: 70pF. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A Spitze. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (5.6 x 9.5mm). Betriebstemperatur: -60...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.

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Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
HER308
Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 400V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 3A
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 400V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 3A
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