Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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HER304

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HER304. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 13:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
HER308
Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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UF5404

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UF5404
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 400V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 400V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V
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