Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IGBT transistor HGTG20N60A4D

IGBT transistor HGTG20N60A4D
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IGBT transistor HGTG20N60A4D. IGBT transistor. RoHS: ja. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 70A. Ic(Impuls): 280A. Ic(T=100°C): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 290W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 73 ns. Td(on): 15 ns. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 03:25.

Technische Dokumentation

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N-Kanal-Transistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 240A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 30N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 463W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V
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