Hitachi 2SK1170 N-Kanal MOSFET, 500V, 20A, 0.27 Ohm, TO-3P Gehäuse

Technische Produktbeschreibung (2SK1170):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 500V. Drain-Source-Leckstrom Idss(max): 250uA. Dauer-Drainstrom Id (T=25°C): 20A. Durchlasswiderstand Rds(On): 0.27 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-3P. Gehäuse: TO-3P (TO-218 SOT-93). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Besondere Merkmale: High speed switching, low drive current. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montageart: Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Kanal MOSFET. Technologie: V-MOS. Gate-Source-Schutz: Ja. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 200 ns. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 32 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Puls-Drainstrom Id(imp): 80A. Eingangskapazität C(in): 2800pF. Ausgangskapazität C(out): 780pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 500 ns. Maximale Verlustleistung: 120W. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V.