Hitachi 2SK1296 N-Kanal MOSFET, 60V, 30A, 0.028 Ohm, TO-220 Gehäuse

Technische Produktbeschreibung (2SK1296):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 60V. Drain-Source-Leckstrom Idss(max): 30A. Dauer-Drainstrom Id (T=25°C): 30A. Dauer-Drainstrom Id (T=100°C): 15A. Durchlasswiderstand Rds(On): 0.028 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220. Gehäuse: TO-220. RoHS-konform: Ja. Besondere Merkmale: Logikpegel-kompatibel. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montageart: Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Kanal MOSFET. Technologie: V-MOS. Menge pro Gehäuse: 1. Maximale Verlustleistung: 75W.