IGBT transistor FGA40N65SMD-DIóDA

IGBT transistor FGA40N65SMD-DIóDA. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FGA40N65SMD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 650V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Maximaler Kollektorstrom (A): 60.4k Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 120ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 174W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 05/06/2025, 20:25.