IGBT transistor HGTG12N60A4

IGBT transistor HGTG12N60A4. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 12N60A4. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 54A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 167W. Maximaler Kollektorstrom (A): 96A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 09:25.