Infineon SPU04N60C3 N-Kanal CoolMOS Leistungs-MOSFET, 650V, 4.5A, TO-251 (I-Pak)

Technische Produktbeschreibung (SPU04N60C3):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 650V. Drain-Source-Leckstrom Idss (max): 50uA. Drainstrom Id (T=25°C): 4.5A. Drainstrom Id (T=100°C): 2.8A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-251 (I-Pak). Gehäuse: TO-251 (I-Pak). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra-niedrige Gate-Ladung, extreme dv/dt-Bewertung. Technologie: Cool Mos. Gate-Source-Schutz: nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 58.5 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss (min): 0.5uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 6 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Pulsierter Drainstrom Id(imp): 13.5A. Gehäusemarkierung: 04N60C3. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 2.1V. Eingangskapazität C (in): 490pF. Ausgangskapazität C (out): 160pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 300 ns. Max. Verlustleistung: 50W. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Gate-Source-Spannung Vgs: 20V