IRF5210

IRF5210. C(in): 2700pF. Kosten): 790pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 79 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.