Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF630B

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IRF630B. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Pd (Verlustleistung, max): 72W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: N-Channel MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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