IRF9530N

IRF9530N. C(in): 760pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.