Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFP054N

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IRFP054N. C(in): 2900pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 81 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 290A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.012 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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