Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFZ44N

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IRFZ44N. C(in): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 63us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 94W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0175 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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